A2U12M12W2-F2

A2U12M12W2-F2 STMicroelectronics


a2u12m12w2-f2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: ACEPACK 2 POWER MODULE, 3-LEVEL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: ACEPACK™ 2
Part Status: Active
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7 nF @ 800 V
на замовлення 36 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16245.13 грн
18+14651.81 грн
36+14101.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2U12M12W2-F2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - A2U12M12W2-F2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: ACEPACK 2, Anzahl der Pins: 29Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції A2U12M12W2-F2 за ціною від 13712.62 грн до 17648.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A2U12M12W2-F2 A2U12M12W2-F2 Виробник : STMicroelectronics a2u12m12w2_f2-2936340.pdf Discrete Semiconductor Modules ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17648.59 грн
10+16466.03 грн
18+13712.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2U12M12W2-F2 Виробник : STMICROELECTRONICS 3731042.pdf Description: STMICROELECTRONICS - A2U12M12W2-F2 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, Vierfach n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: ACEPACK 2
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15178.32 грн
5+15113.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.