Продукція > NXP USA INC. > A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6 NXP USA Inc.


A2V07H525-04N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 595MHz ~ 851MHz
Power - Output: 120W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 105 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 700 mA
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A2V07H525-04NR6 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 595MHz ~ 851MHz, Power - Output: 120W, Gain: 17.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 105 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 700 mA.

Інші пропозиції A2V07H525-04NR6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A2V07H525-04NR6 A2V07H525-04NR6 Виробник : NXP Semiconductors A2V07H525-04N-1387413.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V
товар відсутній