A2V09H525-04NR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-1230-4L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 720MHz ~ 960MHz
Power - Output: 120W
Gain: 18.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 105 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 688 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2V09H525-04NR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM1230-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 720MHz ~ 960MHz, Power - Output: 120W, Gain: 18.9dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 105 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 688 mA.
Інші пропозиції A2V09H525-04NR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2V09H525-04NR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V |
товару немає в наявності |