A3G18D510-04SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz
Power - Output: 56W
Gain: 16dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 250 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3G18D510-04SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 56W, Gain: 16dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 250 mA.
Інші пропозиції A3G18D510-04SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A3G18D510-04SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 56 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |