Продукція > NXP USA INC. > A3G26D055N-1805
A3G26D055N-1805

A3G26D055N-1805 NXP USA Inc.

A3G26D055N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Current - Test: 40 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Technology: GaN
Gain: 13.9dB
Power - Output: 8W
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22263.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G26D055N-1805 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Current - Test: 40 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Technology: GaN, Gain: 13.9dB, Power - Output: 8W, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції A3G26D055N-1805

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3G26D055N-1805 NXP Semiconductors A3G26D055N.pdf NXP Semiconductors RFCell Dev Tool Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A3G26D055N-1805 A3G26D055N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
NXP Semiconductors RFCell Dev Tool Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.