Продукція > NXP USA INC. > A3G26D055N-2110
A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110 NXP USA Inc.

A3G26D055N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+46952.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G26D055N-2110 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.

Інші пропозиції A3G26D055N-2110

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3G26D055N-2110 NXP Semiconductors A3G26D055N.pdf NXP Semiconductors RFCell Dev Tool Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A3G26D055N-2110 A3G26D055N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
NXP Semiconductors RFCell Dev Tool Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.