A3G26D055NT4

A3G26D055NT4 NXP USA Inc.


A3G26D055N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2208.85 грн
10+1721.28 грн
25+1619.79 грн
100+1499.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G26D055NT4 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.

Інші пропозиції A3G26D055NT4 за ціною від 1319.05 грн до 2309.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3G26D055NT4 A3G26D055NT4 Виробник : NXP Semiconductors A3G26D055N-2297931.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2309.22 грн
10+1864.02 грн
25+1525.81 грн
100+1421.68 грн
250+1322.82 грн
500+1320.56 грн
1000+1319.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A3G26D055NT4 A3G26D055NT4 Виробник : NXP USA Inc. A3G26D055N.pdf Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.