Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > A3G26D055NT4
A3G26D055NT4

A3G26D055NT4 NXP Semiconductors

A3G26D055N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3742.14 грн
10+3030.36 грн
100+2256.75 грн
2500+2198.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G26D055NT4 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.

Інші пропозиції A3G26D055NT4 за ціною від 2411.46 грн до 3745.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3G26D055NT4 A3G26D055NT4 NXP USA Inc. A3G26D055N.pdf Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3745.36 грн
10+2962.27 грн
25+2801.42 грн
100+2463.17 грн
250+2411.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A3G26D055NT4 A3G26D055N.pdf
A3G26D055NT4
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3745.36 грн
10+2962.27 грн
25+2801.42 грн
100+2463.17 грн
250+2411.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.