A3G26D055NT4 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3702.31 грн |
| 10+ | 2928.22 грн |
| 25+ | 2769.22 грн |
| 100+ | 2434.86 грн |
| 250+ | 2383.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3G26D055NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.
Інші пропозиції A3G26D055NT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3G26D055NT4 | NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V |
на замовлення 1183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| A3G26D055NT4 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)