A3G26D055NT4 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2213.35 грн |
| 10+ | 1724.79 грн |
| 25+ | 1623.09 грн |
| 100+ | 1502.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3G26D055NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.
Інші пропозиції A3G26D055NT4 за ціною від 6156.50 грн до 10009.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
A3G26D055NT4 | Виробник : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
A3G26D055NT4 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz Power - Output: 8W Gain: 13.9dB Technology: GaN Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 40 mA |
товару немає в наявності |