A3G26D055NT4

A3G26D055NT4 NXP USA Inc.


A3G26D055N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2240.21 грн
10+1745.72 грн
25+1642.79 грн
100+1521.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G26D055NT4 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 8W, Gain: 13.9dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 40 mA.

Інші пропозиції A3G26D055NT4 за ціною від 1399.77 грн до 2450.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3G26D055NT4 A3G26D055NT4 Виробник : NXP Semiconductors A3G26D055N-2297931.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 100-2690 MHz, 8 W Avg., 48 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2450.93 грн
10+1978.50 грн
25+1619.41 грн
100+1509.21 грн
250+1403.59 грн
500+1402.06 грн
1000+1399.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A3G26D055NT4 A3G26D055NT4 Виробник : NXP USA Inc. A3G26D055N.pdf Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 100MHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 8W
Gain: 13.9dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 40 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.