A3G26H350W17SR3 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Current - Test: 250 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780S-4S2S
Technology: GaN
Gain: 13.3dB
Power - Output: 59W
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Package / Case: NI-780S-4S2S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3G26H350W17SR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Current - Test: 250 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-780S-4S2S, Technology: GaN, Gain: 13.3dB, Power - Output: 59W, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Package / Case: NI-780S-4S2S, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції A3G26H350W17SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A3G26H350W17SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 59 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A3G26H350W17SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 59 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 59 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.