Технічний опис A3G26H501W17SR3 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A3G26H501W17SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3G26H501W17SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 56 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |