A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 14W
Gain: 14dB @ 3.6GHz
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 80 mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7303.37 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Bulk, Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Configuration: 2 N-Channel, Power - Output: 14W, Gain: 14dB @ 3.6GHz, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 80 mA.
Інші пропозиції A3G35H100-04SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3G35H100-04SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| A3G35H100-04SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.