A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Current - Test: 80 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Technology: GaN
Power - Output: 14W
Configuration: 2 N-Channel
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: NI-780S-4L
Packaging: Bulk
Gain: 14dB @ 3.6GHz
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Current - Test: 80 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Technology: GaN, Power - Output: 14W, Configuration: 2 N-Channel, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: NI-780S-4L, Packaging: Bulk, Gain: 14dB @ 3.6GHz.
Інші пропозиції A3G35H100-04SR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3G35H100-04SR3 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| A3G35H100-04SR3 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.