A3I20X050GNR1 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-400G-8
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.8GHz ~ 2.2GHz
Configuration: Dual
Voltage - Supply: 20V ~ 32V
Power - Output: 6.3W
Gain: 29.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-400G-8
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 145 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3I20X050GNR1 NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-400G-8, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.8GHz ~ 2.2GHz, Configuration: Dual, Voltage - Supply: 20V ~ 32V, Power - Output: 6.3W, Gain: 29.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-400G-8, Part Status: Active, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 145 mA.
Інші пропозиції A3I20X050GNR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A3I20X050GNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 6.3 W Avg., 28 V |
товару немає в наявності |