Продукція > NXP USA INC. > A3I35D012WGNR1

A3I35D012WGNR1 NXP USA Inc.

A3I35D012WN.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3I35D012WGNR1 NXP USA Inc.

RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V.

Інші пропозиції A3I35D012WGNR1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3I35D012WGNR1 A3I35D012WGNR1 Виробник : NXP Semiconductors A3I35D012WN-1509882.pdf RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.