A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsRF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors
Description: A3I35D012 - Airfast RF LDMOS Wid, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.2GHz ~ 4GHz, Configuration: 2 N-Channel, Power - Output: 1.8W, Gain: 27.8dB, Technology: LDMOS (Dual), Supplier Device Package: TO-270WB-17, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 138 mA.
Інші пропозиції A3I35D012WNR1 за ціною від 2383.19 грн до 2383.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A3I35D012WNR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: A3I35D012 - Airfast RF LDMOS Wid Packaging: Bulk Package / Case: TO-270-17 Variant, Flat Leads Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.2GHz ~ 4GHz Configuration: 2 N-Channel Power - Output: 1.8W Gain: 27.8dB Technology: LDMOS (Dual) Supplier Device Package: TO-270WB-17 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 138 mA |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|