Технічний опис A3T18H360W23SR6 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 63 W Avg., 28 V.
Інші пропозиції A3T18H360W23SR6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
A3T18H360W23SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |