A3T18H455W23SR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Current - Test: 600 mA
Voltage - Test: 30 V
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S
Technology: LDMOS
Gain: 16.7dB
Power - Output: 192W
Configuration: Dual
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Mounting Type: Chassis Mount
Current Rating (Amps): 10µA
Package / Case: ACP-1230S-4L2S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3T18H455W23SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4, Current - Test: 600 mA, Voltage - Test: 30 V, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S, Technology: LDMOS, Gain: 16.7dB, Power - Output: 192W, Configuration: Dual, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Mounting Type: Chassis Mount, Current Rating (Amps): 10µA, Package / Case: ACP-1230S-4L2S, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції A3T18H455W23SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3T18H455W23SR6 | NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A3T18H455W23SR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.