A3T19H455W23SR6 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ACP-1230S-4L2S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 81W
Gain: 16.4dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 540 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A3T19H455W23SR6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: ACP-1230S-4L2S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 81W, Gain: 16.4dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 30 V, Current - Test: 540 mA.
Інші пропозиції A3T19H455W23SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3T19H455W23SR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V |
товару немає в наявності |