Технічний опис A3T19H455W23SR6 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V.
Інші пропозиції A3T19H455W23SR6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A3T19H455W23SR6 | NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A3T19H455W23SR6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1930-1990 MHz, 81 W Avg., 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.