Продукція > NXP USA INC. > A3T21H455W23SR6

A3T21H455W23SR6 NXP USA Inc.


A3T21H455W23S.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: ACP-1230S-4L2S
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 87W
Gain: 15dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 400 mA
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3T21H455W23SR6 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: ACP-1230S-4L2S, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 87W, Gain: 15dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: ACP-1230S-4L2S, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 30 V, Current - Test: 400 mA.

Інші пропозиції A3T21H455W23SR6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A3T21H455W23SR6 A3T21H455W23SR6 Виробник : NXP Semiconductors A3T21H455W23S-1387514.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 87 W Avg., 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.