Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > A5G07H800W19NR3
A5G07H800W19NR3

A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors

A5G07H800W19N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18283.24 грн
10+15360.48 грн
100+12106.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors

Description: A5G07H800W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 717MHz ~ 850MHz, Power - Output: 112W, Gain: 18.3dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.

Інші пропозиції A5G07H800W19NR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A5G07H800W19NR3 NXP USA Inc. A5G07H800W19N.pdf Description: A5G07H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 717MHz ~ 850MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A5G07H800W19NR3 A5G07H800W19N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: A5G07H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 717MHz ~ 850MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.