A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G08H800W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 865MHz ~ 960MHz, Power - Output: 112W, Gain: 18.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.
Інші пропозиції A5G08H800W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G08H800W19NR3 | NXP USA Inc. |
Description: A5G08H800W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 865MHz ~ 960MHz Power - Output: 112W Gain: 18.2dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| A5G08H800W19NR3 |
|
Виробник: NXP USA Inc.
Description: A5G08H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
Description: A5G08H800W19NR3
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.