A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12201.53 грн |
| 10+ | 11438.38 грн |
| 250+ | 9946.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G08H800W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 865MHz ~ 960MHz, Power - Output: 112W, Gain: 18.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 350 mA.
Інші пропозиції A5G08H800W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G08H800W19NR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: A5G08H800W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 865MHz ~ 960MHz Power - Output: 112W Gain: 18.2dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA |
товару немає в наявності |