A5G18H610W19NR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 16664.61 грн |
| 10+ | 13999.53 грн |
| 100+ | 11034.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G18H610W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G18H610W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Power - Output: 85W, Gain: 16.6dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
Інші пропозиції A5G18H610W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G18H610W19NR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: A5G18H610W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Power - Output: 85W Gain: 16.6dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 300 mA |
товару немає в наявності |