A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V.