A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors


A5G21H605W19N-3412686.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2110 2200 MHz, 85 W Avg., 48 V.