A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17886.40 грн |
| 10+ | 15026.04 грн |
| 100+ | 11842.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz, Power - Output: 85W, Gain: 15.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
Інші пропозиції A5G21H605W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G21H605W19NR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.11GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 85W Gain: 15.1dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 300 mA |
товару немає в наявності |