A5G23H110NT4 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 13.8W
Gain: 17.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 60 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G23H110NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz, Power - Output: 13.8W, Gain: 17.9dB, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 60 mA.
Інші пропозиції A5G23H110NT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G23H110NT4 | Виробник : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2300-2400 MHz, 13.8 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |