A5G26H110NT4 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 50 mA
Voltage - Test: 48 V
Voltage - Rated: 125 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Technology: GaN
Gain: 17.7dB
Power - Output: 15W
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Mounting Type: Surface Mount
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G26H110NT4 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 50 mA, Voltage - Test: 48 V, Voltage - Rated: 125 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Technology: GaN, Gain: 17.7dB, Power - Output: 15W, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції A5G26H110NT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G26H110NT4 | NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A5G26H110NT4 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.