A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11832.18 грн |
| 10+ | 10796.92 грн |
| 250+ | 9388.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors
Description: A5G26H605W19NR3, Packaging: Bulk, Package / Case: OM-780-4S4S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz, Power - Output: 85W, Gain: 14.2dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: OM-780-4S4S, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 300 mA.
Інші пропозиції A5G26H605W19NR3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G26H605W19NR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: A5G26H605W19NR3 Packaging: Bulk Package / Case: OM-780-4S4S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz Power - Output: 85W Gain: 14.2dB Technology: GaN Supplier Device Package: OM-780-4S4S Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 300 mA |
товару немає в наявності |