Технічний опис A5G26S004NT6 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active.
Інші пропозиції A5G26S004NT6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G26S004NT6 | NXP Semiconductors |
 GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A5G26S004NT6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.