Продукція > NXP USA INC. > A5G35H055NT4

A5G35H055NT4 NXP USA Inc.

A5G35H055N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G35H055NT4 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V.

Інші пропозиції A5G35H055NT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A5G35H055NT4 A5G35H055NT4 Виробник : NXP Semiconductors A5G35H055N-2940944.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.