Технічний опис A5G35H055NT4 NXP USA Inc.
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A5G35H055NT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
A5G35H055NT4 | NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A5G35H055NT4 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



