Технічний опис A5G35H110NT4 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A5G35H110NT4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G35H110NT4 | Виробник : NXP Semiconductors |
 RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V |
товар відсутній |