Технічний опис A5G35H110NT4 NXP USA Inc.
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A5G35H110NT4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
A5G35H110NT4 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |