A5G35H110NT4 NXP USA Inc.


A5G35H110N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G35H110NT4 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V.

Інші пропозиції A5G35H110NT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A5G35H110NT4 A5G35H110NT4 Виробник : NXP Semiconductors A5G35H110N-2940472.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.