Продукція > NXP USA INC. > A5G35H110NT4

A5G35H110NT4 NXP USA Inc.

A5G35H110N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G35H110NT4 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V.

Інші пропозиції A5G35H110NT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A5G35H110NT4 A5G35H110NT4 NXP Semiconductors A5G35H110N-2940472.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A5G35H110NT4 A5G35H110N-2940472.pdf
A5G35H110NT4
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.