A5G35H120NT2 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz
Power - Output: 18W
Gain: 14.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 10-DFN (7x10)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G35H120NT2 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz, Power - Output: 18W, Gain: 14.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 10-DFN (7x10), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 70 mA.
Інші пропозиції A5G35H120NT2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G35H120NT2 | Виробник : NXP Semiconductors |
GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3800 MHz, 18 W Avg., 48 V |
товару немає в наявності |