A5G35H120NT2 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3318.54 грн |
| 10+ | 2914.53 грн |
| 25+ | 2383.3 грн |
| 50+ | 2303.79 грн |
| 100+ | 2224.28 грн |
| 250+ | 2144.77 грн |
| 500+ | 2044.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G35H120NT2 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz, Power - Output: 18W, Gain: 14.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 10-DFN (7x10), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 70 mA.
Інші пропозиції A5G35H120NT2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| A5G35H120NT2 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz Power - Output: 18W Gain: 14.1dB Technology: GaN Supplier Device Package: 10-DFN (7x10) Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 70 mA |
товар відсутній |