Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A5G35S008NT6 NXP USA Inc.
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V.
Інші пропозиції A5G35S008NT6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A5G35S008NT6 | NXP Semiconductors |
 GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| A5G35S008NT6 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.