Продукція > NXP USA INC. > A5G35S008NT6

A5G35S008NT6 NXP USA Inc.

A5G35S008N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G35S008NT6 NXP USA Inc.

GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V.

Інші пропозиції A5G35S008NT6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A5G35S008NT6 A5G35S008NT6 Виробник : NXP Semiconductors A5G35S008N-2940488.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.