A5G37H110NT4 NXP USA Inc.


A5G37H110N.pdf Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 13.5W
Gain: 15.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A5G37H110NT4 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz, Power - Output: 13.5W, Gain: 15.1dB, Technology: GaN, Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5), Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 70 mA.

Інші пропозиції A5G37H110NT4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
A5G37H110NT4 A5G37H110NT4 Виробник : NXP Semiconductors A5G37H110N-2940938.pdf GaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3600-3800 MHz, 13.5 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.