A6G35S006NT6 NXP USA Inc.


A6G35S006N.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A6G35S006NT6 NXP USA Inc.

Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-5000 MHz, 28 dBm, 48 V.

Інші пропозиції A6G35S006NT6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
A6G35S006NT6 NXP Semiconductors A6G35S006N.pdf Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-5000 MHz, 28 dBm, 48 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
A6G35S006NT6 A6G35S006N.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-5000 MHz, 28 dBm, 48 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.