ADP280120W3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET 6N-CH 1200V 275A ACEPACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 549W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18710pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 280A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 629nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
Supplier Device Package: ACEPACK
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 82146.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADP280120W3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - ADP280120W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 275 A, 1.2 kV, 5050 µohm, ACEPACK DRIVE, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 549W, Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ADP280120W3 за ціною від 106153.37 грн до 108474.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ADP280120W3 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology, 1200 V, 3.8 mOhm |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
ADP280120W3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - ADP280120W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 275 A, 1.2 kV, 5050 µohm, ACEPACK DRIVE tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 275A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 549W Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| ADP280120W3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 275A Automotive AEC-Q100 39-Pin Tray |
товару немає в наявності |