Продукція > STMICROELECTRONICS > ADP280120W3
ADP280120W3

ADP280120W3 STMicroelectronics

adp280120w3.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 275A ACEPACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 549W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18710pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 280A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 629nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
Supplier Device Package: ACEPACK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+66968.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ADP280120W3 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - ADP280120W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 275 A, 1.2 kV, 5050 µohm, ACEPACK DRIVE, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 275A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 549W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm.

Інші пропозиції ADP280120W3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ADP280120W3 ADP280120W3 STMICROELECTRONICS 4408779.pdf Description: STMICROELECTRONICS - ADP280120W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 275 A, 1.2 kV, 5050 µohm, ACEPACK DRIVE
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 549W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADP280120W3 ADP280120W3 STMicroelectronics adp280120w3.pdf MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology, 1200 V, 3.8 mOhm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADP280120W3 4408779.pdf
ADP280120W3
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - ADP280120W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, n-Kanal, 275 A, 1.2 kV, 5050 µohm, ACEPACK DRIVE
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 549W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE
Anzahl der Pins: 30Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ADP280120W3 adp280120w3.pdf
ADP280120W3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module, sixpack topology, 1200 V, 3.8 mOhm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.