ADP360120W3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFET Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module sixpack 1200V 2.55mOhm SiC MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 211488.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADP360120W3 STMicroelectronics
Description: SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 704W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 379A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28070pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.45mOhm @ 360A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 944nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA, Supplier Device Package: ACEPACK, Part Status: Active.
Інші пропозиції ADP360120W3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ADP360120W3 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 379A Automotive AEC-Q101 39-Pin Tray |
товару немає в наявності |
|
| ADP360120W3 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: SIC 6N-CH 1200V 379A ACEPACK Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 704W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 379A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28070pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.45mOhm @ 360A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 944nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA Supplier Device Package: ACEPACK Part Status: Active |
товару немає в наявності |