
ADP46075W3 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Discrete Semiconductor Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module sixpack topology 750 V 1.6 mOhm
Discrete Semiconductor Modules Automotive-grade ACEPACK DRIVE power module sixpack topology 750 V 1.6 mOhm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 74356.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADP46075W3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - ADP46075W3 - Siliziumkarbid-MOSFET, AQG 324, SixPack, n-Kanal, 485 A, 750 V, 0.00205 ohm, ACEPACK DRIVE, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 485A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, euEccn: NLR, Verlustleistung: 704W, Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE, Anzahl der Pins: 30Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції ADP46075W3 за ціною від 77429.80 грн до 78884.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ADP46075W3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 485A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 704W Bauform - Transistor: ACEPACK DRIVE Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
ADP46075W3 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V Dauer-Drainstrom Id: 485A hazardous: false usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack euEccn: NLR Verlustleistung: 704W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 30Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|