ADS065J016G3-ASATH Sanan Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.00 грн |
| 10+ | 255.56 грн |
| 120+ | 203.90 грн |
| 510+ | 172.59 грн |
| 1020+ | 161.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADS065J016G3-ASATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE 650V-16A TO247-3L, COMMON, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A, Supplier Device Package: TO-247-3L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ADS065J016G3-ASATH за ціною від 428.69 грн до 530.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ADS065J016G3-ASATH | Виробник : Luminus Devices Inc. |
 Description: DIODE 650V-16A TO247-3L, COMMONPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A Supplier Device Package: TO-247-3L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 24 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|