
ADS065J020C3-ASATH Sanan Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 395.58 грн |
10+ | 205.93 грн |
100+ | 172.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADS065J020C3-ASATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE 650V-20A TO220-2L, AUTOMOT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 51A, Supplier Device Package: TO-220-2L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ADS065J020C3-ASATH за ціною від 334.06 грн до 510.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ADS065J020C3-ASATH | Виробник : Luminus Devices Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1018pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|