ADS065J040G3-ASATH

ADS065J040G3-ASATH Sanan Semiconductor


ADS065J040G3_ASATH-3439760.pdf Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 40A, TO247-3L, Auto Grade
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+887.91 грн
10+806.86 грн
30+559.24 грн
120+515.20 грн
270+511.53 грн
510+460.16 грн
1020+356.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ADS065J040G3-ASATH Sanan Semiconductor

Description: DIODE 650V-40A TO247-3L, COMMON, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A, Supplier Device Package: TO-247-3L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ADS065J040G3-ASATH за ціною від 807.99 грн до 978.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ADS065J040G3-ASATH ADS065J040G3-ASATH Виробник : Luminus Devices Inc. SananSemiconductorADS065J040G3Datasheet.pdf Description: DIODE 650V-40A TO247-3L, COMMON
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A
Supplier Device Package: TO-247-3L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+978.87 грн
10+807.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.