
ADS065J040G3-ASATH Sanan Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 887.91 грн |
10+ | 806.86 грн |
30+ | 559.24 грн |
120+ | 515.20 грн |
270+ | 511.53 грн |
510+ | 460.16 грн |
1020+ | 356.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADS065J040G3-ASATH Sanan Semiconductor
Description: DIODE 650V-40A TO247-3L, COMMON, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A, Supplier Device Package: TO-247-3L, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ADS065J040G3-ASATH за ціною від 807.99 грн до 978.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ADS065J040G3-ASATH | Виробник : Luminus Devices Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 51A Supplier Device Package: TO-247-3L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|