Продукція > SANAN SEMICONDUCTOR > ADS12B3-ASARH
ADS12B3-ASARH

ADS12B3-ASARH Sanan Semiconductor

ADS12B3_ASARH-3439843.pdf Виробник: Sanan Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 1A, SMBF, Auto Grade
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.36 грн
10+57.45 грн
100+39.01 грн
500+30.49 грн
1000+26.03 грн
2500+25.66 грн
5000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ADS12B3-ASARH Sanan Semiconductor

Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SMBF, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції ADS12B3-ASARH за ціною від 30.35 грн до 87.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Виробник : Luminus Devices Inc. ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.34 грн
10+66.11 грн
100+49.64 грн
500+36.39 грн
1000+31.73 грн
2000+30.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ADS12B3-ASARH ADS12B3-ASARH Виробник : Luminus Devices Inc. ADS12B3-ASARH.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.