ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor
Виробник: Sanan Power SemiconductorDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMBF
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.62 грн |
| 10+ | 46.62 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 26.69 грн |
| 1000+ | 24.15 грн |
| 2000+ | 22.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ADS12B3-ASARH Sanan Power Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SMBF, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції ADS12B3-ASARH за ціною від 21.38 грн до 76.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ADS12B3-ASARH | Виробник : Sanan Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 1A, SMBF, Auto Grade |
на замовлення 6407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ADS12B3-ASARH | Виробник : Sanan Power Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 1A SMBF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AA, SMB Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMBF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |