Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > AFG24S100HR5

AFG24S100HR5 NXP Semiconductors

pgurl_search.partparamdetail.frameworkpart_numberafg24s100hr5.framework.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Wide Band RF Power Gan Transistor, 1-2690 MHz, 125 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFG24S100HR5 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS NI360, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-360H-2SB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.5GHz, Power - Output: 100W, Gain: 16.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-360H-2SB, Voltage - Rated: 50 V.

Інші пропозиції AFG24S100HR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFG24S100HR5 AFG24S100HR5 Виробник : NXP USA Inc. RF_%20Gde.pdf Description: RF MOSFET LDMOS NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360H-2SB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1MHz ~ 2.5GHz
Power - Output: 100W
Gain: 16.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360H-2SB
Voltage - Rated: 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFG24S100HR5 Виробник : NXP / Freescale RF_%20Gde.pdf RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN on SiC Transistor, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.