AFG24S100HR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS NI360
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-360H-2SB
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1MHz ~ 2.5GHz
Power - Output: 100W
Gain: 16.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-360H-2SB
Voltage - Rated: 50 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFG24S100HR5 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS NI360, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-360H-2SB, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1MHz ~ 2.5GHz, Power - Output: 100W, Gain: 16.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-360H-2SB, Voltage - Rated: 50 V.
Інші пропозиції AFG24S100HR5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AFG24S100HR5 | Виробник : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN on SiC Transistor, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V |
товару немає в наявності |