Продукція > ONSEMI > AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN onsemi

afgb30t65sqdn-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT 650V 60A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 245 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 220 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+395.58 грн
10+254.22 грн
100+182.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGB30T65SQDN onsemi

Description: IGBT 650V 60A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 245 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 56 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 220 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGB30T65SQDN за ціною від 144.45 грн до 396.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN Виробник : onsemi AFGB30T65SQDN-D.PDF IGBTs IGBT 650V FS4 High speed version for OBC application in D2PAK 650V, 30A, D2PAK
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.48 грн
10+279.78 грн
100+174.86 грн
500+155.86 грн
800+144.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN Виробник : ON Semiconductor afgb30t65sqdn-d.pdf
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN Виробник : ON Semiconductor afgb30t65sqdn-d.pdf 650 V 30 A IGBT Chip Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN Виробник : ONSEMI AFGB30T65SQDN-D.PDF Description: ONSEMI - AFGB30T65SQDN - IGBT, 60 A, 1.6 V, 220 W, 650 V, TO-263AB (D2PAK), 3 Pin(s)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN Виробник : onsemi afgb30t65sqdn-d.pdf Description: IGBT 650V 60A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 245 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 56 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 220 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.