Продукція > ONSEMI > AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN onsemi

afgb30t65sqdn-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 650V/30A FS4 IGBT TO263 AUTOMOTIVE
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+347.83 грн
10+248.84 грн
100+171.27 грн
500+148.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGB30T65SQDN onsemi

Description: IGBT 650V 60A TO-263, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 220 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Part Status: Active, Gate Charge: 56 nC, Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V, Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Reverse Recovery Time (trr): 245 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції AFGB30T65SQDN за ціною від 175.82 грн до 381.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AFGB30T65SQDN AFGB30T65SQDN onsemi afgb30t65sqdn-d.pdf Description: IGBT 650V 60A TO-263
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 56 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 245 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.40 грн
10+245.10 грн
100+175.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN ON Semiconductor afgb30t65sqdn-d.pdf
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN afgb30t65sqdn-d.pdf
AFGB30T65SQDN
Виробник: onsemi
Description: IGBT 650V 60A TO-263
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Active
Gate Charge: 56 nC
Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 14.5ns/63.2ns
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 245 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 220 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+381.40 грн
10+245.10 грн
100+175.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGB30T65SQDN afgb30t65sqdn-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.