AFGB40T65SQDN ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 238W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 150.60 грн |
| 500+ | 139.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGB40T65SQDN ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 238W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 238W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції AFGB40T65SQDN за ціною від 139.09 грн до 449.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGB40T65SQDN | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 650V 80A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 131 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AFGB40T65SQDN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 238W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AFGB40T65SQDN | Виробник : onsemi |
IGBTs 650V/40A FS4 IGBT |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AFGB40T65SQDN | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 650V 80A TO-263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 131 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/75.2ns Switching Energy: 858µJ (on), 229µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 238 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AFGB40T65SQDN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
AFGB40T65SQDN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 119W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 76nC Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
AFGB40T65SQDN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; D2PAK; automotive industry Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 119W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 76nC Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товару немає в наявності |