AFGH4L25T120RWD onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FS 1200V 50A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Reverse Recovery Time (trr): 174 ns
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Gate Charge: 113 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 357 W
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.71V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/203ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 8Ohm, 15V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 526.66 грн |
| 10+ | 347.69 грн |
| 450+ | 286.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGH4L25T120RWD onsemi
Description: IGBT FS 1200V 50A TO-247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Reverse Recovery Time (trr): 174 ns, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Gate Charge: 113 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 357 W, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.71V @ 15V, 25A, Td (on/off) @ 25°C: 43ns/203ns, Switching Energy: 1.46mJ (on), 1.07mJ (off), Test Condition: 600V, 25A, 8Ohm, 15V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGH4L25T120RWD за ціною від 323.60 грн до 666.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGH4L25T120RWD | Виробник : onsemi |
IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AFGH4L25T120RWD | Виробник : ON Semiconductor |
IGBT Power N-channel |
товару немає в наявності |