Продукція > ONSEMI > AFGH4L60T120RWD-STD
AFGH4L60T120RWD-STD

AFGH4L60T120RWD-STD onsemi

AFGH4L60T120RWD-STD-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 73A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 308 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.01V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 68ns/264ns
Switching Energy: 3.03mJ (on), 3.98mJ (off)
Test Condition: 600V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 171 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 287 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+731.87 грн
10+487.00 грн
100+363.88 грн
500+310.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGH4L60T120RWD-STD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 73A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 308 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.01V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 68ns/264ns, Switching Energy: 3.03mJ (on), 3.98mJ (off), Test Condition: 600V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 171 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 73 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 287 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGH4L60T120RWD-STD за ціною від 348.18 грн до 751.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGH4L60T120RWD-STD AFGH4L60T120RWD-STD onsemi AFGH4L60T120RWD-STD-D.PDF IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+751.58 грн
10+515.51 грн
120+348.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGH4L60T120RWD-STD AFGH4L60T120RWD-STD ONSEMI 4758643.pdf Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RWD-STD - IGBT, 73 A, 1.68 V, 287 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 287W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 73A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+751.58 грн
5+637.28 грн
10+522.98 грн
50+449.74 грн
100+381.31 грн
250+348.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFGH4L60T120RWD-STD AFGH4L60T120RWD-STD-D.PDF
AFGH4L60T120RWD-STD
Виробник: onsemi
IGBTs FS7 1200V 60A SCR IGBT TO247 4L COPACK (LOW COST)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+751.58 грн
10+515.51 грн
120+348.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGH4L60T120RWD-STD 4758643.pdf
AFGH4L60T120RWD-STD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGH4L60T120RWD-STD - IGBT, 73 A, 1.68 V, 287 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.68V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 287W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 73A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+751.58 грн
5+637.28 грн
10+522.98 грн
50+449.74 грн
100+381.31 грн
250+348.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.