AFGHL30T65RQDN onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/68ns
Switching Energy: 340µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 2.5Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 356.65 грн |
| 30+ | 272.03 грн |
| 120+ | 233.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL30T65RQDN onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 42A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 39 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/68ns, Switching Energy: 340µJ (on), 320µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 2.5Ohm, 15V, Gate Charge: 37 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 230.8 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL30T65RQDN за ціною від 168.58 грн до 381.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL30T65RQDN | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors IGBT - 650 V 30 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|