Продукція > ONSEMI > AFGHL40T120RWD
AFGHL40T120RWD

AFGHL40T120RWD onsemi

afghl40t120rwd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 185 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55.2ns/241ns
Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 652 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+770.56 грн
10+513.07 грн
450+350.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL40T120RWD onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 185 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 55.2ns/241ns, Switching Energy: 3.68mJ (on), 1.7mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 170 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 652 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL40T120RWD за ціною від 386.26 грн до 830.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL40T120RWD AFGHL40T120RWD Виробник : onsemi AFGHL40T120RWD-D.PDF IGBTs FS7 1200V 40A SCR IGBT TO247 3L
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+830.17 грн
10+639.58 грн
120+463.21 грн
510+386.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T120RWD Виробник : ON Semiconductor afghl40t120rwd-d.pdf AFGHL40T120RWD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T120RWD Виробник : ONSEMI afghl40t120rwd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 326W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.