на замовлення 2162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 343.09 грн |
| 10+ | 239.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL40T65SPD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns, Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 36 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 267 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL40T65SPD за ціною від 195.42 грн до 538.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL40T65SPD | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - AFGHL40T65SPD - IGBT, 80 A, 1.85 V, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AFGHL40T65SPD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 120A Gate charge: 36nC |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AFGHL40T65SPD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/35ns Switching Energy: 1.16mJ (on), 270µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 36 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 267 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 253245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AFGHL40T65SPD | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 134W Pulsed collector current: 120A Gate charge: 36nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
| AFGHL40T65SPD | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
| AFGHL40T65SPD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |