Продукція > ONSEMI > AFGHL40T65SQD
AFGHL40T65SQD

AFGHL40T65SQD onsemi

afghl40t65sqd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/70ns
Switching Energy: 250µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.87 грн
30+240.03 грн
120+203.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL40T65SQD onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/70ns, Switching Energy: 250µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL40T65SQD за ціною від 203.90 грн до 463.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL40T65SQD AFGHL40T65SQD Виробник : onsemi AFGHL40T65SQD-D.PDF IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 40A Fieldstop 4 trench IGBT
на замовлення 7012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.30 грн
10+266.10 грн
120+203.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl40t65sqd-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SQD AFGHL40T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl40t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SQD AFGHL40T65SQD Виробник : ONSEMI 3005705.pdf Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL40T65SQD Виробник : ONSEMI afghl40t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 119W
Pulsed collector current: 160A
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.