Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65RQDN
AFGHL50T65RQDN

AFGHL50T65RQDN onsemi


afghl50t65rqdn-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 78A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 50A, 15V
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/76ns
Switching Energy: 3.09mJ (on), 830µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 2.5Ohm, 15V
Gate Charge: 65 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 346 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.88 грн
30+ 298.91 грн
120+ 256.19 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65RQDN onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 78A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 57 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 50A, 15V, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 41ns/76ns, Switching Energy: 3.09mJ (on), 830µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 2.5Ohm, 15V, Gate Charge: 65 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 78 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 346 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65RQDN за ціною від 188.46 грн до 424.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGHL50T65RQDN AFGHL50T65RQDN Виробник : onsemi AFGHL50T65RQDN_D-3368610.pdf IGBT Transistors 650V/50A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.98 грн
10+ 351.51 грн
25+ 288.35 грн
100+ 248.39 грн
450+ 210.44 грн
900+ 199.11 грн
2700+ 188.46 грн