Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQ
AFGHL50T65SQ

AFGHL50T65SQ onsemi

afghl50t65sq-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.13 грн
30+207.94 грн
120+172.33 грн
510+137.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQ onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQ за ціною від 153.50 грн до 397.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL50T65SQ AFGHL50T65SQ Виробник : onsemi AFGHL50T65SQ-D.PDF IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT Stand alone IGBT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.37 грн
10+230.10 грн
120+165.72 грн
510+153.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sq-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ AFGHL50T65SQ Виробник : ONSEMI 3005706.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQ Виробник : ONSEMI afghl50t65sq-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 99nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.