Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQD
AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD ONSEMI

3005707.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+400.07 грн
10+235.59 грн
100+215.88 грн
500+181.37 грн
1000+163.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQD ONSEMI

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQD за ціною від 166.69 грн до 490.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : onsemi afghl50t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 118595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.96 грн
30+253.29 грн
120+211.40 грн
510+169.58 грн
1020+166.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : onsemi AFGHL50T65SQD-D.PDF IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.92 грн
10+281.03 грн
120+197.03 грн
510+187.86 грн
1020+177.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD Виробник : ONSEMI afghl50t65sqd-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Power dissipation: 134W
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 102nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.