AFGHL50T65SQD ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 411.60 грн |
| 10+ | 251.35 грн |
| 100+ | 222.88 грн |
| 500+ | 180.53 грн |
| 1000+ | 163.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL50T65SQD ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL50T65SQD за ціною від 155.84 грн до 448.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL50T65SQD | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 268 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 115895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
AFGHL50T65SQD | Виробник : onsemi |
IGBTs 650V50A FS4 IGBT TO-247LL |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| AFGHL50T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
AFGHL50T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товару немає в наявності |