Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQD
AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD ONSEMI

3005707.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+448.65 грн
10+377.54 грн
100+329.29 грн
500+260.18 грн
1000+213.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQD ONSEMI

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQD за ціною від 168.92 грн до 474.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : onsemi afghl50t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 118595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.91 грн
30+256.67 грн
120+214.22 грн
510+171.84 грн
1020+168.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : onsemi afghl50t65sqd-d.pdf IGBTs 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.52 грн
10+438.24 грн
30+252.04 грн
120+209.78 грн
270+209.03 грн
1020+184.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.