Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQD
AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD ONSEMI

3005707.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+412.69 грн
10+251.88 грн
100+222.35 грн
500+179.04 грн
1000+156.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQD ONSEMI

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQD за ціною від 180.03 грн до 459.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD onsemi AFGHL50T65SQD-D.PDF Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.51 грн
30+240.49 грн
120+200.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD onsemi AFGHL50T65SQD-D.PDF IGBTs 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.46 грн
10+257.99 грн
120+181.44 грн
510+180.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD ON Semiconductor AFGHL50T65SQD-D.PDF
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD-D.PDF
AFGHL50T65SQD
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.51 грн
30+240.49 грн
120+200.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD-D.PDF
AFGHL50T65SQD
Виробник: onsemi
IGBTs 650V50A FS4 IGBT TO-247LL
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.46 грн
10+257.99 грн
120+181.44 грн
510+180.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.